Semiconductor Device Pro

*半導体デバイス、電子回路は、良好な導体でも良好な絶縁体でもない材料で構成されています。

*半導体デバイスは、シリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、有機半導体などの半導体材料の電子的特性を利用する電子部品に過ぎません。

主な用語

o半導体

ダイオード

oトランジスタ

oバイポーラ接合トランジスタ

ベース

コレクター

エミッタ

o集積回路

この便利なアプリケーションは、詳細なノート、ダイアグラム、方程式、公式＆コースの材料を含む160のトピックをリストアップしています。トピックは5章にリストされています。アプリケーションは、すべてのエンジニアリング科学の学生と専門家のために持っている必要があります。

学習を追跡し、リマインダーを設定し、学習資料を編集したり、お気に入りのトピックを追加したり、ソーシャルメディアでトピックを共有したりします。

また、スマートフォンやタブレット、またはhttp://www.engineeringapps.net/から、エンジニアリング技術、革新、エンジニアリングスタートアップ、大学の研究活動、研究所の更新、コースの教材や教育プログラムに関する有益なリンクについてのブログもできます。

あなたのチュートリアル、デジタルブック、シラバスの参考ガイド、コースの素材、プロジェクトの仕事として、この便利なエンジニアリングアプリを使って、ブログで意見を共有してください。

アプリに含まれるトピックのいくつかは次のとおりです。

1. Haynes-Shockley実験

2.半導体材料

3.結晶格子

4.立方体格子

5.平面と方向

6.ダイヤモンド格子

7.バルク結晶成長

単結晶インゴットの成長

ウェーハ

10.エピタキシャル成長

11.気相エピタキシー

12.分子線エピタキシー

13.半導体の電荷キャリア

有効質量

15.本質的な材料

16.外来物質

17.量子井戸における電子とホール

18.フェルミ準位

19.補償と空間電荷の中立性

20.ドリフトと抵抗

21.光吸収

22.フォトルミネッセンス

23.エレクトロルミネッセンス

24.キャリア寿命と光伝導度

25.電子とホールの直接再結合

26.間接的組換え;トラッピング

27.定常状態のキャリア生成。準フェルミ準位

28.光導電性デバイス

29.拡散プロセス

30.キャリアの拡散とドリフト：ビルトインフィールド

拡散と再結合。連続方程式

32.定常状態のキャリア注入：拡散長

33.準フェルミ準位の勾配

34.キャリア濃度の温度依存性

35.温度とドーピングの移動性への影響

36.高電界効果

37.ホール効果

38. pn接合の作製：熱酸化

39. P-N接合の拡散

40.急速熱処理

41.イオン注入

42.化学蒸着（CVD）

43.フォトリソグラフィー

44.エッチング

メタライゼーション

46.平衡条件

47.平衡フェルミ準位

48.ジャンクションにおける空間電荷

49.順バイアスおよび逆バイアスの接合

50.キャリア注入

51.逆バイアス

52.逆バイアスのブレークダウン

53.ツェナーブレークダウン

54.雪崩の内訳

55.整流器

56.故障ダイオード

57.トランジェントおよびA-C条件

58.逆回復トランジェント

59.理想ダイオードモデル

60.キャリア注入に対するコンタクトポテンシャルの影響

61.スイッチングダイオード

62. pn接合の容量

63.遷移領域における再結合と生成

64.オーミック損失

65.傾斜接合

66.金属半導体接合：ショットキー障壁

67.現在の輸送プロセス

68.熱電子放出理論

69.拡散理論

70.熱電子放出拡散理論

71.コンタクトを整流する

72.トンネル電流

73.少数キャリア注入

74. MISトンネルダイオード

75.障壁高さの測定

76.活性化 - エネルギー測定

77.光電測定

78. Ohmicコンタクト

各トピックには、より良い学習と素早い理解のために、ダイアグラム、方程式、および他の形式のグラフィカル表現があります。

半導体デバイスは、様々な大学のエンジニアリング教育コースと技術학위プログラムの一部です。